中新社成都12月4日电 (记者 贺劭清) 记者4日晚从电子科技年夜学得悉，九三学社社员、中国科学院院士、电子科技年夜学传授陈星弼因病治疗无效，于当日17时10分在四川成都去世，享年89岁。
陈星弼1931年1月28日诞生于上海，本籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济年夜学机电系，前后在厦门年夜学、东南年夜学和成都电讯工程学院(现电子科技年夜学)工作。1999年被选为中国科学院院士，2019年被选为国际电气与电子工程师协会毕生会士(IEEELife Fellow)。
陈星弼是中国功率半导体范畴的带路人和集年夜成者。他颁发跨越200篇学术论文，取得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发现专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。该发现专利成功让渡并实现财产化，今朝超结器件全球年市场发卖额跨越10亿美元。
陈星弼曾取得诸多声誉，包罗中国国度发现奖及科技前进奖2项，省部级嘉奖13项。陈星弼2015年取得IEEE ISPSD颁布的最高声誉“国际功率半导体前驱奖”，成为亚太地域首位获此殊荣的科学家。陈星弼2018年进选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位进选名人堂的华人科学家。(完)