IT之家5月17日动静台积电本日联合台年夜、麻省理工颁布发表,在1nm如下芯片方面取患上重年夜入铺,研究功效已经颁发于Nature。
该研究发明,操纵半金属铋 Bi 作为二维质料的接触电极,可以年夜幅下降电阻并提高电流,完成接近量子极限的能效,无望应战1nm 如下制程的芯片。
据先容,该发明是由麻省理工团队起首发明的,随后台积电将“易沉积制程”入行优化,而台年夜机电系暨光电所传授吴志毅团队则经由过程氦离子束微影体系”将元件通道胜利放大至纳米尺寸。
IT之家此前报导,IBM 在5月初首发了2nm 工艺芯片,与当前支流的7nm 芯片相比,IBM 2nm 芯片的机能预计晋升45%,能耗下降75%。
不外业界人士暗示,因为 IBM 没有进步前辈逻辑制程芯片的晶圆厂,是以其2nm 工艺没法很快落地,“弯道超车”也比力坚苦。